Дальневосточный математический журнал

К содержанию выпуска


Структура остаточного напряжения в модели молекулярной динамики


М. А. Гузев, А. А. Дмитриев, Н. А. Пермяков

2008, выпуск 2, С. 152–163


Аннотация
Рассматривается одномерная система попарно взаимодействующих осцилляторов. Получено представление для остаточного напряжения в зависимости от начального распределения частиц в материале. Указаны ограничения на класс функций, используемых для моделирования распределения остаточного напряжения в рамках модели молекулярной динамики.

Ключевые слова:

Полный текст статьи (файл PDF)

Библиографический список

[1] M. P. Allen, D. J. Tildesley, Computer simulation of liquids, Ox. Uni. Press, 1991.
[2] А. М. Кривцов, Н. В. Кривцова, “Метод частиц и его использование в механике деформируемого твердого тела”, Дальневосточный математический журнал, 3:2 (2002), 254–276.
[3] Т. Д. Шермергор, Теория упругости микро-неоднородных сред, Наука, М., 1977.
[4] М. А. Гузев, Ю. Г. Израильский, М. А. Шепелов, “Макроскопические характеристики одномерной точно решаемой молекулярной модели на различных масштабах”, Физ. мезомех., 5:9 (2006), 53–57.
[5] М. А. Гузев, А. А. Дмитриев, Н. А. Пермяков, “Точно решаемая модель молекулярной динамики”, Математические модели и методы механики сплошных сред, Сборник научных трудов: к 60-летию А. А. Буренина, 2007, 65–74.
[6] Е. И. Головнева, И. Ф. Головнев, В. М. Фомин, “Особенности применения методов механики сплошных сред для описания наноструктур”, Физ. мезомех., 8:5 (2005), 47–54.
[7] А. П. Прудников, Ю. А. Брычков, О. И. Маричев, Интегралы и ряды, т. 1, 2-е изд., исправ., Физматлит, М., 2002.
[8] Е. С. Венцель, Л. А. Овчаров, Теория случайных процессов и ее инженерные применения, Учеб. пособие для вузов, 2-е изд., Высш. школа, М., 2000.
[9] P. J. Withers, H. K. D. H. Bhadeshia, “Residual stress. Part 1 - Measurement techniques”, Material Science and Technology, 17 (2001), 355–365.
[10] P. J. Withers, H. K. D. H. Bhadeshia, “Residual stress. Part 2 - Nature and origins”, Material Science and Technology, 17 (2001), 366–375.

К содержанию выпуска